根据上述审查结果及《
中华人民共和国反补贴条例》第
十六条规定，商务部决定自2012年7月20日起对原产于美国的太阳能级多晶硅进行反补贴调查。现将有关事项公告如下：
一、立案调查及调查期
自本公告发布之日起，商务部对原产于美国的太阳能级多晶硅进行反补贴调查，本次调查确定的补贴调查期为2011年7月1日至2012年6月30日，产业损害调查期为2008年1月1日至2012年6月30日。
二、被调查产品及调查范围
调查范围：原产于美国的进口太阳能级多晶硅产品。
被调查产品名称：太阳能级多晶硅。英文名称：Solar-Grade Polysilicon。
被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。
被调查产品电学参数为：基磷电阻率＜300欧姆·厘米（Ω·cm）；基硼电阻率＜2600欧姆·厘米（Ω·cm）；碳浓度＞1.0×1016（at/cm3）；n型少数载流子寿命＜500μs；施主杂质浓度＞0.3×109；受主杂质浓度＞0.083×109。
主要用途：主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产，是生产晶体硅光伏电池的主要原料。
该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190。该税则号项下电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。
三、反补贴调查项目
在提交的申请书中，申请人主张美国政府向涉案产业和企业提供的补贴项目共计20个。经过审查，本次调查中包括如下申请人指控的补贴项目：
联邦政府项目
1、先进能源制造业税金抵免
地方政府项目
2、密执安州光伏制造业税金抵免
3、密执安经济发展局-高技术企业税金抵免
4、密执安州"经济萧条地区"企业的动产税免除
5、密执安州"工厂复兴区"和"工业发展区"内企业的财产税免除
6、密执安州高技术"锚企业"因吸引其他企业投资而获得的税收抵免
